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IRF7779L2TR1PBF

更新时间:2024-04-22 16:30:02
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IRF7779L2TR1PBF外观图

  • 大小：314.6KB
  • 厂家：International Rectifier
  • 描述： MOSFET, N CH, 150V, 67A, DIRECTFET L8; Transistor Polarity:N Channel; Current Id Max:67A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; No. of Pins:5
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：375A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11 毫欧 @ 40A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：6660pF @ 25V
  • 功率 - 最大：3.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等距 L8
  • 供应商设备封装：DIRECTFET L8
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF7779L2TR1PBFTR
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