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国际整流器公司(ir)近日推出两款新型30v hexfet功率mosfet,可将30v/45a两相同步降压转换器mosfet解决方案的轻负载效率提升2%,用来驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的intel和amd最新型处理器。 这两款新型无铅器件分别是irf7823pbf和irf7832zpbf,通过优化传导、开关和体二极管损耗,可实现最佳的效率和功率密度。两款器件可用作每相需要一个控制和2个同步mosfet的两相同步降压转换器电路芯片组。这组新型so-8 mosfet 还适用于其他采用pwm控制的dc-dc降压转换器应用。 ir中国及香港销售总监严国富表示:“中低功率水平下,高效率对笔记本电脑非常重要,因为它们是最主流的电池驱动产品。我们的全新芯片组可以针对这方面的需要,在5-15a的范围内将效率提升2%。新器件还可以降低功率损耗,从而降低系统的工作温度,这一点对便携式计算也相当重要。” 新的芯片组包含一个控制mosfet和一个同步mosfet,每个器件都经过专门设计,以发挥其最大效能。控制mosfet具有更低的开关损耗(栅电荷),同步mosfet则具有低传导损耗(低导通电阻)
国际整流器公司(ir)近日推出两款新型30v hexfet功率mosfet,可将30v/45a两相同步降压转换器mosfet解决方案的轻负载效率提升2%,用来驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的intel和amd最新型处理器。 这两款新型无铅器件分别是irf7823pbf和irf7832zpbf,通过优化传导、开关和体二极管损耗,可实现最佳的效率和功率密度。两款器件可用作每相需要一个控制和2个同步mosfet的两相同步降压转换器电路芯片组。这组新型so-8 mosfet 还适用于其他采用pwm控制的dc-dc降压转换器应用。 ir中国及香港销售总监严国富表示:“中低功率水平下,高效率对笔记本电脑非常重要,因为它们是最主流的电池驱动产品。我们的全新芯片组可以针对这方面的需要,在5-15a的范围内将效率提升2%。新器件还可以降低功率损耗,从而降低系统的工作温度,这一点对便携式计算也相当重要。” 新的芯片组包含一个控制mosfet和一个同步mosfet,每个器件都经过专门设计,以发挥其最大效能。控制mosfet具有更低的开关损耗(栅电荷),同步mosfet则具有低传
(电子市场网讯) 世界功率管理技术领袖国际整流器公司(international rectifier,简称ir)近日推出两款新型30v hexfet®功率mosfet,可将30v/45a两相同步降压转换器mosfet解决方案的轻负载效率提升2%,用来驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的intel和amd最新型处理器。 这两款新型无铅器件分别是irf7823pbf和irf7832zpbf,通过优化传导、开关和体二极管损耗,可实现最佳的效率和功率密度。两款器件可用作每相需要一个控制和2个同步mosfet的两相同步降压转换器电路芯片组。这组新型so-8 mosfet 还适用于其他采用pwm控制的dc-dc降压转换器应用。 ir中国及香港销售总监严国富表示:“中低功率水平下,高效率对笔记本电脑非常重要,因为它们是最主流的电池驱动产品。我们的全新芯片组可以针对这方面的需要,在5-15a的范围内将效率提升2%。新器件还可以降低功率损耗,从而降低系统的工作温度,这一点对便携式计算也相当重要。” 新的芯片组包含一个控制mosfet和一个同步mosfet,每个器件都经过专门设计,以发挥其最大效能。控制
国际整流器公司(ir)近日推出两款新型30v hexfet功率mosfet,可将30v/45a两相同步降压转换器mosfet解决方案的轻负载效率提升2%,用于驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的intel和amd最新型处理器。 这两款新型无铅器件分别是irf7823pbf和irf7832zpbf,通过优化传导、开关和体二极管损耗,可实现最佳的效率和功率密度。两款器件可用作每相需要一个控制和2个同步mosfet的两相同步降压转换器电路芯片组。这组新型so-8 mosfet 还适用于其他采用pwm控制的dc-dc降压转换器应用。 ir中国及香港销售总监严国富表示:“中低功率水平下,高效率对笔记本电脑非常重要,因为它们是最主流的电池驱动产品。我们的全新芯片组可以针对这方面的需要,在5-15a的范围内将效率提升2%。新器件还可以降低功率损耗,从而降低系统的工作温度,这一点对便携式计算也相当重要。” 新的芯片组包含一个控制mosfet和一个同步mosfet,每个器件都经过专门设计,以发挥其最大效能。控制mosfet具有更低的开关损耗(栅电荷),同步mosfet则具有低传导损耗(低导通电阻)及低逆向恢复电荷。 irf