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IRF840

更新时间:2025-07-03 14:41:15

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IRF840 概述

IRF840是国际整流器公司（现为英飞凌旗下品牌）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效能开关应用，最大漏源电压VDS为500V，连续漏极电流ID在25℃下可达8A。其低栅极电荷和低导通电阻特性使其适合高频操作。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、直流-直流转换器、电机驱动以及各种工业控制设备中的开关电路。使用时需注意其工作温度范围，确保不超过最大结温以保障性能稳定。在实际电路设计中，应搭配适当的栅极驱动电路来优化开关速度并减少功耗。

IRF840 规格参数

标准包装
1,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
850 毫欧 @ 4.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
63nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
*IRF840IRF840IR

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