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IRFB59N10DPBF

更新时间:2025-07-04 08:46:44
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IRFB59N10DPBF外观图

IRFB59N10DPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB

  • 封装:TO-220-3
IRFB59N10DPBF 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    59A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    25 毫欧 @ 35.4A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    114nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2450pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    3.8W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3
  • 供应商设备封装
    TO-220AB
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    *IRFB59N10DPBF
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