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irfbg20pbf中文资料

  • 标准包装:

    1,000

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    -

  • FET 型:

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 特点:

    标准型

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    1000V（1kV）

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    1.4A

  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    11 欧姆 @ 840mA，10V

  • Id 时的 Vgs(th)（最大）:

    4V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    38nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    500pF @ 25V

  • 功率 - 最大:

    54W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商设备封装:

    TO-220AB

  • 包装:

    管件

  • 其它名称:

    *IRFBG20PBF

  • IC工艺的发展

    ic工艺是把晶体管、二极管、电阻器、电容器和其他组件用相应的工艺方式制作在小块的硅、玻璃或陶瓷基板上的过程。进行适当的连接，然后封装管壳，整个电路的体积大大降低了。因此，引出线和焊接点的数量在其影响下，也不断减少。在20世纪50年代末和60年代初，使用的硅平面技术和薄膜与厚膜技术来实现整合的设想。根据工艺的过程方法，分别是以硅平面工艺，薄膜技术，丝网印刷厚膜为基础的ic。 看过本文还可查阅：pnx8300hl/c1/31价格 irfbg20pbf 售价

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