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IRFB7540PBF

更新时间:2025-05-15 23:44:48

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IRFB7540PBF 概述

IRFB7540PBF是由Infineon Technologies生产的N沟道MOSFET。该器件采用D2PAK封装，具有低导通电阻和高电流能力的特点，典型导通电阻仅为3.5mΩ（在10V栅极电压下）。其最大漏极-源极电压为80V，连续漏极电流可达195A。适用于高效直流-直流转换器、电机驱动控制及电池管理系统等应用场合。在电机驱动电路中，可以有效降低开关损耗并提高系统效率。使用时需注意散热设计，确保工作温度在安全范围内，并选择合适的栅极驱动电阻以优化开关性能。

IRFB7540PBF 规格参数

现有数量
522现货
系列
HEXFET?, StrongIRFET?
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.1 毫欧 @ 65A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.7V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4555 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
160W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3

芯产品

1.2万

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