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描述：Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors IRFP460 Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA ? Repetitive Avalanche Rated ? Fast switching V DSS = 500 V ? Stable off-state characteristics ? High thermal cycling performance I D = 20 A ? Low thermal resistance R DS(ON) ≤ 0.27 Ω GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT429 (TO247) N-channel, enhancement mode PIN DESCRIPTION field-effect power transistor, intended for use in off-line switched 1 gate mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, 2 drain d.c. to d.c. converters, motorcontrol circuits and general purpose 3 source switching applications. tab drain The IRFP460 is supplied in the SOT429 (TO247) conventional leaded package. LIMITING VALUES Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT V DSS Drain-source voltage T j = 25 ?C to 150?C - 500 V V DGR Drain-gate voltage T j = 25 ?C to 150?C; R GS = 20 kΩ - 500
标准包装：30
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：MegaMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 12A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：210nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：4200pF @ 25V
功率 - 最大：260W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3P-3 整包
供应商设备封装：TO-247AD
包装：管件
其它名称：IRFP460IX

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