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IRFP460N

更新时间:2025-06-12 04:06:18

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说明
询价

深圳市集好芯城科技有限公司
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IRFP460N 概述

IRFP460N是由Infineon Technologies生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，适用于高电压和大电流的应用场景。其设计主要用于高效能电源转换器、不间断电源系统、电机驱动以及高频开关应用等场合。在具体应用中，IRFP460N因其低导通电阻和快速开关特性而备受青睐。它能够在高达500V的漏源电压下工作，并提供高达20A的连续漏极电流能力（在室温条件下）。为了确保最佳性能，在电路设计时应考虑适当的散热措施，例如使用散热片或冷却风扇以保持器件温度在安全范围内。此外，为防止过压损坏，建议在栅极和源极之间添加一个齐纳二极管作为保护。对于初学者而言，参考官方提供的典型应用电路是一个不错的选择，这有助于理解如何正确配置外围元件来实现稳定可靠的电路设计。

IRFP460N 规格参数

制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
500 V
闸/源击穿电压
+/- 30 V
漏极连续电流
20 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.24 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC
封装
Tube
下降时间
33 ns
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
280 W
上升时间
87 ns
工厂包装数量
500
典型关闭延迟时间
34 ns

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