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IRFR1010ZPBF

更新时间:2025-05-16 17:31:27

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International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

IRFR1010ZPBF 规格参数

标准包装
75
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
42A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.5 毫欧 @ 42A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
95nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2840pF @ 25V
功率 - 最大
140W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
管件
其它名称
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