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IRFR9N20DPBF

更新时间:2025-05-20 19:07:43
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IRFR9N20DPBF外观图

IRFR9N20DPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

  • 封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
IRFR9N20DPBF 规格参数
  • 标准包装
    75
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    9.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    380 毫欧 @ 5.6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    86W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装
    D-Pak
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    *IRFR9N20DPBF
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