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IRFS17N20DPBF

更新时间:2025-05-15 20:40:15

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IRFS17N20DPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

IRFS17N20DPBF 概述

IRFS17N20DPBF是由Infineon Technologies生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效功率转换应用。其最大漏极-源极电压为200V，适合在中高压电路中使用。典型应用场景包括开关电源、电机驱动器和DC-DC转换器等需要高效能量管理的场合。由于其快速开关特性和低损耗，特别适用于高频操作环境。在设计过程中应注意正确选择栅极驱动电阻以优化开关性能，并确保适当的散热措施以维持长期可靠性。电路设计时应参考数据手册中的绝对最大额定值，避免超出安全工作范围。

IRFS17N20DPBF 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
170 毫欧 @ 9.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1100pF @ 25V
功率 - 最大
3.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
管件
其它名称
*IRFS17N20DPBF

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