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IRFZ48ZSPBF

更新时间:2025-05-20 10:42:52

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IRFZ48ZSPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

IRFZ48ZSPBF 概述

IRFZ48ZSPBF是由Infineon Technologies生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效能开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）为55V，适合在直流-直流转换器、电机驱动控制以及电源管理电路中使用。封装形式为TO-263，便于表面贴装工艺。在电机驱动应用中，应注意散热设计以确保器件可靠工作。电路设计时应合理选择栅极电阻以优化开关速度并减少电磁干扰。在电源管理电路中，需注意输入输出电容的选择以稳定工作电压。

IRFZ48ZSPBF 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
61A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫欧 @ 37A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
64nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1720pF @ 25V
功率 - 最大
91W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
管件
其它名称
*IRFZ48ZSPBF

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