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IRG4BC20FPBF IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-2... IRG4BC20FPBFPDF下载
IRG4BC20FPBF IGBT, 600V, 16A, TO-220; Transistor ... International Rectifier IRG4BC20FPBFPDF下载
IRG4BC20FDPBF IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-2... IRG4BC20FDPBFPDF下载
IRG4BC20FDPBF INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WIT... IRF [International Rectifier] IRG4BC20FDPBFPDF下载

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IGBT及其子器件的几种失效模式
，al2o3——sio2——si。以上措施，对低压微功耗的微电子的应用，已证明mos与mosic是可靠的。但是对于电力电子应用的场合：高电压，大电流和工作温度范围较宽。特别是，静电放电电压接近栅极击穿电压而又未穿栅极时，例如上文所示接近100v时，仍有隐忧：（1）较高栅电压下，阈值电压漂移较大，图3示出p沟硅栅mos在高栅电压下的。由图3可见，栅电压vg=40v时，=4v。（2） pt—igbt在高温栅偏压下阈值电压漂移。图4给出pt—igbt（irg4bc20f）在（1）栅已射极gge=20v，vce=ov（htgb）和（2）vge=0v，vce=0.8v(htrb)在140℃，经过1200小时的应力试验结果。由图4中的htgb曲线可见，栅偏置试验开始后100小时内，时线性增加，随后趋于稳定。（3）电可擦只读存贮器（electrically erasable read-only memory，简称eerom）的存贮单元是氮化硅（si3n4）—二氧化硅(sio2)构成的双层绝缘栅的mos管，它利用栅极注入电荷来改变rom存贮单元的状

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