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IXBH28N170A

更新时间:2025-05-17 22:35:42
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IXBH28N170A外观图

IXBH28N170A

IXYS IGBT - 单路

MOSFET N-CH 1700V 30A TO-247AD

  • 封装:TO-247-3
IXBH28N170A 规格参数
  • 标准包装
    30
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    IGBT - 单路
  • 系列
    BIMOSFET™
  • IGBT 类型
    -
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）
    6V @ 15V，14A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    30A
  • 功率 - 最大
    300W
  • 输入类型
    标准型
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-247-3
  • 供应商设备封装
    TO-247AD
  • 包装
    管件
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