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              IXBH5N160G
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更新时间:2024-12-11 18:09:52
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IXBH5N160G外观图

  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：BIMOSFET™
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：7.2V @ 15V，3A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：5.7A
  • 功率 - 最大：68W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：TO-247AD
  • 包装：管件
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