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IXFB80N50Q2

更新时间:2024-04-12 23:59:54
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  • 厂家:IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
  • 标准包装:25
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HiPerFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5.5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:250nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:15000pF @ 25V
  • 功率 - 最大:960W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装:PLUS264?
  • 包装:管件
IXFB80N50Q2 相关信息
  • 单相航空静止变流器的研制
    ...T4)原、副边匝比为20:18; 副边输出续流管(D10和D14)采用快恢复二极管DSEI30-06A,耐压600V; 副边整流管(D9及D11~D13)采用快恢复二极管DSEI30-10A,耐压1000V; 功率开关管(Q1~Q8)采用IXFB80N50Q2,环境温度25℃时额定电流为80A,额定电压500V。 DC/AC逆变器如图4所示,主要电路参数如下: 主功率管IGBT(S1~S4)采用BSM-150GB-60DLC,额定电流150A,额定电压600V; 滤波电感(...
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