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IXFC36N50P

更新时间:2025-06-12 18:18:01

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IXFC36N50P

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220

封装:ISOPLUS220?

IXFC36N50P 概述

IXFC36N50P是IXYS公司生产的一款高性能功率MOSFET。这款器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源应用。其最大漏源电压（Vds）为500V，连续漏极电流（Id）在25°C时为36A。该MOSFET特别适合用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器等需要高效能量转换的场合。在实际应用中，建议将栅极电阻设置合理值以优化开关速度并减少电磁干扰(EMI)。此外，在布局PCB时应尽量缩短源极引线长度以降低寄生电感的影响。对于高压侧驱动应用，需确保有足够的栅极驱动电压（至少10V），以保证最佳性能。此器件配合合适的控制IC使用可以构建出高效稳定的电力电子系统。

IXFC36N50P 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PolarHV™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
19A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫欧 @ 18A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
93nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
5500pF @ 25V
功率 - 最大
156W
安装类型
通孔
封装/外壳
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供应商设备封装
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包装
管件

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