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IXSA20N60B2D1

更新时间:2025-06-13 12:48:25

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IXSA20N60B2D1

IXYS IGBT - 单路

IGBT HS W/DIODE 600V 35A TO263

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

IXSA20N60B2D1 概述

IXSA20N60B2D1是由IXYS公司生产的一款高性能功率MOSFET。该器件采用了先进的Trench技术，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、不间断电源（UPS）、电机驱动等高效能应用场合。其优化的栅极电荷使得在高频工作条件下也能保持较低的开关损耗，有助于提升整体系统效率。此外，这款MOSFET还具有高雪崩能量承受能力，提高了电路的可靠性与稳定性。在实际应用中，设计者需注意适当的散热措施以确保器件长时间稳定运行，并且要合理选择栅极电阻值来优化开关速度与EMI性能。

IXSA20N60B2D1 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
IGBT - 单路
系列
-
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
2.5V @ 15V，16A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
35A
功率 - 最大
190W
输入类型
标准型
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
TO-263
包装
散装

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