您现在的位置：首页 > IC > I字母型号搜索 > I字母第2152页 >

IXSK30N60BD1

更新时间:2025-05-20 06:33:20

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
IXSK30N60BD1
BOM配单
一级代理，原装正品，账期支持，终端通让采购更放心！
上传BOM

我要上特价
IXSK30N60BD1
今日特价
展示实力的机会，更是体现服务的开始！

海芯未来半导体电子（深圳）有
IXSK30N60BD1
7300
IXYS
TO3PL/2026+
行业十年，价格超越代理，支持权威机构检测

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
IXSK30N60BD1
4500
IXYS/艾赛斯
TO264/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市怡兴业电子科技有限公司
IXSK30N60BD1
6500
IXYS/艾赛斯
TO264/23+
只做原装现货

深圳市威雅利发展有限公司
IXSK30N60BD1
7300
IXYS
TO3PL/23+
原装现货

深圳市芯乐创科技有限公司
IXSK30N60BD1
50000
IXYS
-/26+
只做原装，专注提供BOM配单服务

深圳市芯国创科技有限公司
IXSK30N60BD1
2000
IXYS
09+/25+
只做原装，支持账期，提供一站式配单服务

深圳市泰佳兴电子有限公司
IXSK30N60BD1
41101
IXYS
09+/-
大量现货，提供一站式配单服务

瀚佳科技（深圳）有限公司
IXSK30N60BD1
2100
IXYS
TO3PL/16+
一级代理/全新原装现货供应

深圳市科芯源微电子有限公司
IXSK30N60BD1
65286
IXYS
-/21+
全新原装现货，长期供应，免费送样

深圳市亿科泰电子科技有限公司
IXSK30N60BD1
22500
IXYS
-/16+RoHS
保证质量质优价好给你

深圳市宏捷佳电子科技有限公司
IXSK30N60BD1
60000
IXYS
TO264/2025+
原装特价提供样品

深圳市安富世纪电子有限公司
IXSK30N60BD1
6000
IXYS/艾赛斯
TO264/23+
十年配单，只做原装

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
IXSK30N60BD1
8913
IXYS
TO264AA(IXSK)/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

无锡固电半导体股份有限公司
IXSK30N60BD1
5000
ISC/无锡固电
TO264/TO3PL/26+
国产品牌isc，替代进口

上海熠富电子科技有限公司
IXSK30N60BD1
35910
IXYS
TO3PL/2024
上海原装现货库存，欢迎咨询

深圳市金科创世纪电子有限公司
IXSK30N60BD1
10000
IXYS
TO264AAIXSK/-
原装现货，可开票，提供账期诚信服务

艾润（香港）电子有限公司
IXSK30N60BD1
28000
原厂品牌
-/-
原装部分现货量大期货

北京睿宸齐芯科技有限公司
IXSK30N60BD1
1872
-
TO264/TO3PL/2024+/25+
IGBT单管,原装和国产替代

深圳市河锋鑫科技有限公司
IXSK30N60BD1
9000
IXYS
TO264AA(IXSK)/2024+
原厂渠道，现货配单

深圳市楚胜电子有限公司
IXSK30N60BD1
22358
IXYS
-/22+
房间现货，价格优势。

深圳市金嘉锐电子有限公司
IXSK30N60BD1
9860
IXYS
TO247AD/2026+
原装优势有货

您是不是要找：IXSH50N60B IXSH45N120B IXSH45N120 IXSH45N100 IXSH40N60B2D1 IXSH40N60B IXSH40N60A IXSH40N60 IXSH35N140A IXSH35N120B IXSK30N60CD1

IC现货资源推荐

优势：品质保障[放心]稳定库存[安心]优质商家[省心]

点击搜索体验

UCC25710DWR PESD5V0U1BA SI2325DS-T1-E3 QM3002M3 SMF15A MMSZ36T1G WS78L09 SI9407AEY-T1-E3

IXSK30N60BD1

IXYS IGBT - 单路

IGBT 55A 600V TO-264

封装:TO-264-3，TO-264AA

IXSK30N60BD1 概述

IXSK30N60BD1是由IXYS公司生产的高压MOSFET。这款MOSFET采用先进的Trench技术，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压为600V，适用于多种高电压应用场合。典型的应用包括不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、焊接设备以及工业驱动系统中作为功率转换元件。在电路设计中，建议确保适当的栅极驱动电路以实现最佳的开关性能，并且要关注散热设计以维持器件工作温度在安全范围内。对于需要高效能量转换和管理的应用场景，这款MOSFET是一个理想的选择。注意在实际使用时应遵循制造商提供的数据手册来确定具体的工作条件和参数设置。

IXSK30N60BD1 规格参数

标准包装
25
类别
分离式半导体产品
家庭
IGBT - 单路
系列
-
IGBT 类型
-
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
2.7V @ 15V，55A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
55A
功率 - 最大
200W
输入类型
标准型
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装
TO-247AD
包装
管件

IXSK30N60BD1 相关搜索

芯知识

2.1万

视频广告工业电源天花板！AWD40-23S 真的太能打！

广东微尔科技有限公司

IXSK30N60BD1推荐型号

>> 更多IXSK30N60BD1相关热门型号

维库电子市场网-十六年专注打造电子元器件采购网

IXSK30N60BD1

IXSK30N60BD1

建议反馈

我要上传PDF