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IXT-1-1N100S1

更新时间:2025-05-28 23:24:28
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IXT-1-1N100S1外观图

IXT-1-1N100S1

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

  • 封装:8-SOIC
IXT-1-1N100S1 规格参数
  • 标准包装
    94
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    -
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    -
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    -
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    -
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC
  • 供应商设备封装
    8-SOIC
  • 包装
    管件
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