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IXTH12N120

更新时间:2025-05-22 21:11:21
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IXTH12N120外观图

IXTH12N120

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247

  • 封装:TO-247-3
IXTH12N120 规格参数
  • 标准包装
    30
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    1.4 欧姆 @ 6A, 10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    3400pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    500W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-247-3
  • 供应商设备封装
    TO-247AD
  • 包装
    管件
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