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IXTH68N20

更新时间:2025-06-14 23:38:14

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IXTH68N20 概述

IXTH68N20是IXYS公司生产的一款高性能N沟道MOSFET。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于需要高效电力传输的应用场景。其最大漏极电流可达68A，击穿电压为200V，适合于开关电源、电机驱动、逆变器以及不间断电源（UPS）系统等应用。在实际使用中，由于其较大的电流承载能力和较高的耐压值，可以有效减少电路中的热损耗，提高整体效率。设计时需注意其栅极驱动电压范围，确保能够充分开启和关闭MOSFET，以避免不必要的功率损失或损坏。此外，在高频应用场合下，应考虑适当的散热措施来保证稳定工作。

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