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IXTP3N120

更新时间:2025-05-15 20:23:02
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IXTP3N120外观图

IXTP3N120

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB

  • 封装:TO-220-3
IXTP3N120 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HiPerFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    4.5 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1350pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    200W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3
  • 供应商设备封装
    TO-220
  • 包装
    管件
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