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IXTP3N70

更新时间:2025-05-15 23:11:31

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IXTP3N70 概述

IXTP3N70是由IXYS公司生产的一款高压功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源应用。其最大漏源电压（Vds）为700V，连续漏极电流（Id）在25°C时可达3A。由于其出色的雪崩击穿特性和高可靠性，广泛应用于不间断电源（UPS）、直流-直流转换器以及电机驱动等工业领域。在电路设计中，需注意栅极驱动电压应保持在规定范围内以确保可靠开启和关闭MOSFET，同时合理布局PCB走线以减少寄生电感影响。在高温环境下使用时，要考虑降额使用以保证长期稳定性。

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