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J110RLRAG

更新时间:2025-05-15 11:49:44
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J110RLRAG的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

J110RLRAG外观图

  • 标准包装：2,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：JFET（结点场效应
  • 系列：-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：10mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)：-
  • 漏极电流 (Id) - 最大：-
  • FET 型：N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25V
  • 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id：500mV @ 1µA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 电阻 - RDS（开）：18 欧姆
  • 安装类型：通孔
  • 包装：带卷 (TR)
  • 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
  • 供应商设备封装：TO-92-3
  • 功率 - 最大：310mW
J110RLRAG 相关信息
  • J110RLRAG的技术参数
    产品型号:J110RLRAG零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (?A):10000零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (?A):－门极－源极雪崩电压VGSS Min (V):25输入电容CISS Max (pF):－反向最大传递电容CRSS Max (pF):－沟道极性:N封装/温度(℃):TO92/-55~150价格/1片(套):￥1.20 来源:xiangxueqin
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