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K9F5608UOD-PCBO

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    电源电压:3.3V设备VCC=2.7~3.6V;结构:存储器单元阵列:(32M+1024K)×8位,数据存储器:(512+16)×8位;自动编程和擦除:页编程:(512+16)字节,块擦除:(16K+512)字节;页读操作:页大小:(512+16)字节,随机存取:15μs(最大值),串行访问:50ns(最小值); 快速写周期时间:编程时间200μS(典型值),块擦除时间:2ms(典型值); 指令/地址/数据复用I/O端口; 硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除锁定; 可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间; 指令存储器操作; 封装:48引脚的TSOP和WSOP封装,63引脚的FBGA封装;工作温度:-10~+125℃

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