K9F5616Q0B-DIB0
32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flas...
SAMSUNG
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32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flas...
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
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电源电压：1.8V设备VCC＝1.7～1.95V； 结构：存储器单元阵列：(16M＋512K)×16位,数据存储器：(256＋8)×16位；自动编程和擦除：页编程：(256＋8)字,块擦除：(8K＋256)字；页读操作：页大小：(256＋8)字,随机存取：10μs(最大值),串行访问：50ns(最小值)； 快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值),块擦除时间：2ms(典型值)； 指令/地址/数据复用I/O端口； 硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定； 可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间；指令存储器操作； 封装：63引脚的TBGA封装；工作温度：－40～＋125℃
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