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    K9F5616Q0B-DIB0引脚图电源电压:1.8V设备VCC=1.7~1.95V; 结构:存储器单元阵列:(16M+512K)×16位,数据存储器:(256+8)×16位;自动编程和擦除:页编程:(256+8)字,块擦除:(8K+256)字;页读操作:页大小:(256+8)字,随机存取:10μs(最大值),串行访问:50ns(最小值); 快速写周期时间:编程时间:200μs(典型值),块擦除时间:2ms(典型值); 指令/地址/数据复用I/O端口; 硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除锁定; 可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间;指令存储器操作; 封装:63引脚的TBGA封装;工作温度:-40~+125℃

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