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L35NF10

更新时间:2025-05-17 00:30:13

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L35NF10 概述

L35NF10是由Infineon Technologies生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用D2PAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率的电源管理应用。其最大漏极-源极电压（Vds）为100V，连续漏极电流（Id）可达35A，在栅极-源极电压（Vgs）为10V时，导通电阻（Rds(on)）低至16mΩ。L35NF10广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及电池管理系统中。由于其良好的热稳定性和可靠性，这款MOSFET也适合用于需要高效能量转换和紧凑设计的应用场合。在实际使用时，建议注意栅极驱动电路的设计以确保最佳性能，并且在高温环境下要特别关注器件的最大工作温度限制。

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