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MMBT100

更新时间:2025-05-26 22:53:09
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MMBT100外观图

MMBT100

Fairchild Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR NPN GP SOT-23

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MMBT100 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    400mV @ 20mA，200mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    500nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    100 @ 150mA，5V
  • 功率 - 最大
    350mW
  • 频率 - 转换
    250MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    SOT-23
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    MMBT100-NDMMBT100TR
MMBT100 Datasheet数据手册 PDF下载
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