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MMDF3N02HDR2G

更新时间:2025-05-19 15:53:34

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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回收此型号MMDF3N02HDR2G

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MMDF3N02HDR2G外观图

MMDF3N02HDR2G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 3.8A 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

MMDF3N02HDR2G 概述

MMDF3N02HDR2G是由MDD（扬州扬杰电子科技股份有限公司）生产的一款N沟道增强型MOSFET。它采用SOT-23封装，这种小型封装非常适合用于对空间要求较高的电路设计。该MOSFET具有低导通电阻特性，在低压应用中能够有效降低能量损耗。其典型应用场景包括电池供电设备、负载开关以及DC - DC转换器等。在电池供电设备中，它可以作为电源管理部分的关键元件，确保高效的电能传输；在负载开关应用里，凭借其快速的开关速度，有助于提高整个电路的响应性能；对于DC - DC转换器而言，其良好的导电性能有助于提升转换效率。使用时应注意，由于它是MOSFET器件，在焊接和操作过程中要防止静电损坏。在电路设计中，可根据具体需求合理选择栅极电阻值以控制开关速度，并且要确保源极和漏极之间的电压不超过最大额定电压。

MMDF3N02HDR2G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
90 毫欧 @ 3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
630pF @ 16V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
MMDF3N02HDR2G-NDMMDF3N02HDR2GOSTR

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