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MMDF3N04HDR2G

更新时间:2025-07-03 10:29:29

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深圳市诚研翔科技有限公司
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ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N-CH DUAL 3.4A 40V 8SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

MMDF3N04HDR2G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫欧 @ 3.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
28nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
900pF @ 32V
功率 - 最大
1.39W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
MMDF3N04HDR2GOSMMDF3N04HDR2GOS-NDMMDF3N04HDR2GOSTR

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