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MMFT2N02ELT1

更新时间:2025-06-13 10:25:37
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MMFT2N02ELT1外观图

MMFT2N02ELT1

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223

  • 封装:TO-261-4，TO-261AA
MMFT2N02ELT1 规格参数
  • 标准包装
    10
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    150 毫欧 @ 800mA，5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    580pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    800mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装
    SOT-223
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    MMFT2N02ELT1OSDKR
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