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MSD601-RT1G

更新时间:2025-07-04 13:16:58
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MSD601-RT1G外观图

MSD601-RT1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANS GP NPN 100MA 50V SC59

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MSD601-RT1G 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    500mV @ 10mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    210 @ 2mA，10V
  • 功率 - 最大
    200mW
  • 频率 - 转换
    -
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    SC-59
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    MSD601-RT1GOSMSD601-RT1GOS-NDMSD601-RT1GOSTR
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