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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

更新时间:2025-06-05 03:05:07
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    停产
  • 存储器类型
    非易失性，易失性
  • 存储器格式
    FLASH，RAM
  • 技术
    FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
  • 存储容量
    4Gb（NAND），2Gb（LPDDR2）
  • 存储器组织
    512M x 8（NAND），64M x 32（LPDDR2）
  • 存储器接口
    并联
  • 时钟频率
    533 MHz
  • 写周期时间 - 字，页
    -
  • 访问时间
    -
  • 电压 - 供电
    1.8V
  • 工作温度
    -25°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    162-VFBGA
  • 供应商器件封装
    162-VFBGA（11.5x13）
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广东微尔科技有限公司
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