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MTB36N06VT4

更新时间:2025-06-17 03:46:14

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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MTB36N06VT4 概述

MTB36N06VT4是来自Onsemi（安森美半导体）的一款N沟道MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效能的电源管理应用。该MOSFET的最大漏源电压Vds为60V，最大连续漏极电流Id为36A，非常适合用于直流-直流转换器、电机驱动控制以及各种功率级电路中。由于其快速的开关特性，有助于减少开关损耗并提升系统整体效率，在工业自动化设备和消费类电子产品中有广泛的应用。使用时应注意避免超过最大额定值，并且在高频应用中要优化栅极驱动电路以确保最佳性能。

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