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mtb50p03hdlt4g价格行情

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mtb50p03hdlt4g中文资料

  • MTB50P03HDLT4G的技术参数

    产品型号:mtb50p03hdlt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):25最大漏极电流id(on)(a):50通道极性:p沟道封装/温度(℃):3d2pak/-65~175描述:50a,30v,d2pak,p沟道功率mosfet价格/1片(套):￥20.50 来源:xiangxueqin

  • MTB50P03HDLT4G的技术参数

    产品型号:MTB50P03HDLT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):25
    最大漏极电流Id(on)(A):50
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):3D2PAK/-65~175
    描述:50A,30V,D2PAK,P沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):￥20.5...

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