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MTP12P10

更新时间:2025-06-30 21:24:54
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MTP12P10 相关资料

  • 其它信息：

    12.0A/100V

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MTP12P10外观图

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 100 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：12 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.3 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220AB
  • 封装：Tube
  • 下降时间：150 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2 S
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：75 W
  • 上升时间：150 ns
  • 工厂包装数量：50
  • 典型关闭延迟时间：150 ns
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