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MTV25N50E

更新时间:2025-06-13 23:29:40

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MTV25N50E 概述

MTV25N50E是由MagnaChip Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能的电源管理应用。其最大漏极-源极电压为500V，连续漏极电流额定值为25A，适合在高电压和中等电流条件下工作。此MOSFET广泛应用于开关电源、不间断电源（UPS）、电机驱动器和其他需要高压侧开关或同步整流的应用中。在设计时应注意合理选择栅极电阻以控制开关速度，避免过高dv/dt引起EMI问题。同时，在并联使用多个MOSFET时，需确保每个器件的温度均匀分布，防止热失控现象发生。电路设计上可考虑添加适当的缓冲电路来保护MOSFET免受过压损害。

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