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MUN5114DW1T1G

更新时间:2025-06-09 18:59:51

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深圳市捷立辉科技有限公司
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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华芯盛世半导体（深圳）有限公
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斯耐尔（深圳）科技有限责任公
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瑞智芯只有原装原装订货

深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市信科微科技有限公司
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深圳市华美锐电子有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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终端可以免费供样，支持BOM配单

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市力拓辉电子有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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蓝界科技（深圳）有限公司
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MUN5114DW1T1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363

封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

MUN5114DW1T1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列
-
晶体管类型
2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
10k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
80 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）
500nA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装
SOT-363
包装
带卷 (TR)

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