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NDD04N60Z-1G

更新时间:2025-05-16 09:27:44

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
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深圳市诚研翔科技有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳华盛半导体集团有限公司
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深圳市华威信达科技有限公司
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深圳市莱克讯科技有限公司
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NDD04N60Z-1G外观图

NDD04N60Z-1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

封装:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

NDD04N60Z-1G 概述

NDD04N6/XMLSchemaRootElement60Z-1G是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关应用。其最大漏源电压为600V，连续漏极电流可达4A，在电源管理电路中表现出色。常见应用场景包括交流-直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)转换器、LED驱动器以及电机驱动等需要高效功率转换的场合。在实际应用中，建议将栅极电阻设置在10至20欧姆之间以抑制振荡，并确保适当的散热设计以维持工作温度在安全范围内。对于高可靠性要求的应用，应考虑使用额外的保护电路如钳位二极管来防止过压损坏。

NDD04N60Z-1G 规格参数

标准包装
75
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2 欧姆 @ 2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
640pF @ 25V
功率 - 最大
83W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商设备封装
I-Pak
包装
管件
其它名称
NDD04N60Z-1G-NDNDD04N60Z-1GOS

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