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NDD04N60Z-1G

更新时间:2025-05-16 09:27:44
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NDD04N60Z-1G外观图

NDD04N60Z-1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

  • 封装:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
NDD04N60Z-1G 规格参数
  • 标准包装
    75
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    2 欧姆 @ 2A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    640pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    83W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
  • 供应商设备封装
    I-Pak
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    NDD04N60Z-1G-NDNDD04N60Z-1GOS
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