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NDS331N

更新时间:2025-06-13 19:56:38

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深圳闻舟科技有限公司
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原装进口现货，假一赔十，价格优势

深圳市信诚芯科技有限公司
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原装

深圳市百嘉顺实实业有限公司
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百分百原装环保现货只做原装

深圳市杰旭鑫科技有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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NDS331N

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3

封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

NDS331N 概述

NDS331N是一款由onsemi（安森美半导体）生产的P沟道MOSFET。它采用小巧的SOT-23封装，非常适合空间受限的应用场景。其最大漏极-源极电压(VDS)为-30V，在室温下连续漏极电流(ID)可达-4.4A。该MOSFET的栅极阈值电压较低，有助于降低驱动电压要求，便于与多种微控制器或逻辑电路直接连接。NDS331N广泛应用于负载开关、电源管理以及电池供电设备中的功率控制等场合。在实际应用电阻以确保快速可靠的开关转换，并且在布局时尽量减小寄生电感和电阻的影响，以优化性能。

NDS331N 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
160 毫欧 @ 1.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
162pF @ 10V
功率 - 最大
460mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
3-SSOT
包装
带卷 (TR)
其它名称
NDS331NTR

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