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NDS355N N-Channel Logic Level Enhancement Mo... FAIRCHILD NDS355NPDF下载
NDS355N N-Channel Logic Level Enhancement Mo... FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] NDS355NPDF下载

nds355n价格行情

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历史最低报价：￥0.2500 历史最高报价：￥0.8000 历史平均报价：￥0.4617

型号厂家封装批号数量日期价格
NDS355N NAS 355/23 BD 12000 2010/4/23 13:26:08 0.2500/pcs
NDS355N FAIRCHILD SOT23/3 09+ 18000 2010/4/23 16:51:53 0.3000/pcs
NDS355N FAIRCHILD 06+/07+ 6671 2010/4/23 14:31:49 0.3000/pcs
NDS355N FAI SOT-23 09++ 32000 2010/4/23 15:01:55 0.3200/pcs
NDS355N SOT23 3000 2010/4/24 11:07:10 0.3500/pcs
NDS355N 国产 SOT-23 08+ 3000 2010/4/23 17:11:04 0.3500/pcs
NDS355N FAI SOT-23 3000 2010/4/23 13:37:36 0.3500/pcs
NDS355N FAI SOT-23 07+ 3000 2010/4/24 10:58:18 0.4200/pcs
NDS355N FAIRCHILD 01+ SOT-23 1600 2010/4/24 10:53:43 0.5000/pcs
NDS355N FAIRCHILD 2008 3000 2010/4/24 9:49:01 0.5000/pcs

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相关电路图

产品培训模块:
High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
标准包装:
3,000
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
-
FET 型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
1.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
85 毫欧 @ 1.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
245pF @ 10V
功率 - 最大:
460mW
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装:
3-SSOT
包装:
带卷 (TR)
其它名称:
NDS355NTR

锤离子电池充电器一
时，ic内部的控制保护电路工作，10脚无电压输出，充电结束。若某种原因导致输人电压偏高，则vf导通，使r5两端电压超过2·465v的参考门限电压，ic内部的保护电路动作，10脚无电压输出。元器件选择 rl-r5均选用1/4w金属膜电阻器。 cl-c3均选用独石电容器;c4和c5选用耐压值为16v的铝电解电容器;c6选用耐压值为25v的铝电解电容器。 vdl和vd2均选用ln5819型肖特基二极管;vd3选用1n4148型硅开关二极管。 ur选用2a、5ov的整流桥堆。 vf选用nds355n型场效应晶体管。 ic选用scl4l0a型充电专用集成电路。 l选用tdk色码电感器。 t选用5w、二次电压为l2v的电源变压器。来源:university

NDS8410 NDS9435A NDS9956 NDT3055 NDT454P NE1617 NE1619 NE3210S01 NE32400 NE3509M04

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产品培训模块:

标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

其它名称:

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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

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