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NSBA114EDP6T5G

更新时间:2025-06-13 06:52:48
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NSBA114EDP6T5G外观图

NSBA114EDP6T5G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

TRANS BRT PNP DUAL DGTL SOT-963

  • 封装:SOT-963
NSBA114EDP6T5G 规格参数
  • 标准包装
    8,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    2 个 PNP 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）
    10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
    10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    35 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    250mV @ 300µA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    500nA
  • 频率 - 转换
    -
  • 功率 - 最大
    338mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-963
  • 供应商设备封装
    SOT-963
  • 包装
    带卷 (TR)
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