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NSS40200LT1G

更新时间:2025-07-05 19:38:32
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NSS40200LT1G外观图

NSS40200LT1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR PNP 2A 40V SOT-23

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
NSS40200LT1G 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    170mV @ 200mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    220 @ 500mA，2V
  • 功率 - 最大
    460mW
  • 频率 - 转换
    100MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    SOT-23-3（TO-236）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    NSS40200LT1G-NDNSS40200LT1GOSTR
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