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NST846BF3T5G

更新时间:2025-06-11 05:38:11

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ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR GP NPN 65V SOT-1123

封装:SOT-1123

NST846BF3T5G 规格参数

标准包装
8,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
65V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
200 @ 2mA，5V
功率 - 最大
290mW
频率 - 转换
100MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-1123
供应商设备封装
SOT-1123
包装
带卷 (TR)

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