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NTB45N06LT4G

更新时间:2025-06-20 19:53:44

供应商
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封装/批号
说明
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深圳市集好芯城科技有限公司
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深圳市晶美隆科技有限公司
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深圳市博伟奇电子有限公司
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深圳市福田区晶康业电子商行
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全新原装，价格优势

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳市思跃电子有限公司
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昂富（深圳）电子科技有限公司
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深圳市源斯特电子科技有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市捷立辉科技有限公司
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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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深圳市万芯时代贸易有限公司
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回收IC
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OPA2227U/2K5 TDA6502TS/C5 2SB1560 BAV20W GTL2014PW OP184ESZ FZ1200R16KF4 BZX84C6V8LT1G

NTB45N06LT4G外观图

NTB45N06LT4G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

NTB45N06LT4G 概述

NTB45N06LT4G是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理应用。其设计主要用于高效DC-DC转换器、电机驱动、负载开关及电池管理电路中。在电源管理系统中，NTB45N06LT4G可以有效降低功耗并提高系统效率。它能够在高达60V的电压下工作，最大连续漏极电流可达45A，非常适合于需要高功率密度和良好热性能的应用场景。由于其低栅极电荷特性，这款MOSFET也适用于高频开关应用，有助于减少开关损耗。使用时应注意确保栅极驱动电压足够以保证完全开启状态，同时注意散热设计，以维持长期可靠运行。在实际电路设计中，通常会与控制IC配合使用，实现对负载的有效管理和保护功能。

NTB45N06LT4G 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
45A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
28 毫欧 @ 22.5A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
32nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1700pF @ 25V
功率 - 最大
2.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTB45N06LT4GOSNTB45N06LT4GOS-NDNTB45N06LT4GOSTR

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