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NTB52N10T4G

更新时间:2025-07-06 10:44:14

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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一级代理，原装正品，账期支持，终端通让采购更放心！
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深圳市诚研翔科技有限公司
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5000
ON/安森美
TO263/22+
原装现货，配单助手

昂富（深圳）电子科技有限公司
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292079
onsemi/安森美
TO263/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单

深圳市芯齐壹科技有限公司
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48000
ON/安森美
D2PAK/26+
官网可查icscjh.com

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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8000
-
21+/2024+
原装现货，支持BOM配单

深圳市创芯联盈电子有限公司
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100500
ON/安森美
TO263/2519+
一级代理专营品牌原装，优势现货，长期排单到货

深圳市金锐力科技有限公司
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6743
ON
-/25+
原装现货可出样

深圳市威雅利发展有限公司
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7300
ONS
D2PAK/23+
原装现货

深圳市誉辉天成电子有限公司
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1930
-
17+/-
-

深圳市安富世纪电子有限公司
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6000
ON/安森美
SOT263/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市粤东诚信电子有限公司
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30000
ON
TO263/24+
原装，一站式BOM配单

深圳市金科创世纪电子有限公司
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30000
ON/安森美
D2PAK/-
原装现货，可开票，提供账期诚信服务

上海熠富电子科技有限公司
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22850
ON
D2PAK3LEAD/2024
上海原装现货库存，欢迎查询

深圳市硅诺电子科技有限公司
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45000
ROHM
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原装认证有意请来电或QQ洽谈

深圳市芯国创科技有限公司
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3000
ON
TSSOP/24+
原装现货,提供优质配单服务

深圳市华斯顿科技有限公司
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12800
ONSEMI/安森美
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原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包

深圳市宏世佳电子科技有限公司
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深圳市晶美隆科技有限公司
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假一罚十，原装进口现货供应，只做原装

深圳市毅创辉电子科技有限公司
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51300
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原装现货，可提供订货服务

深圳市英科美电子有限公司
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只做原装,为客户做到零风险

瀚佳科技（深圳）有限公司
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16800
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一级代理分销/放心采购

深圳市金灿利电子科技有限公司
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全新原装现货/实单价格支持/优势渠道

深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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现货假一罚万只做原厂原装现货

深圳市昌和盛利电子有限公司
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ON一级代理分销商价格超低量大可直接香港交货
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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深圳原装现货

深圳市优尚半导体科技有限公司
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5000
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优势产品大量库存原装现货

深圳市能元时代电子有限公司
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/25+
百分百原装，价格优势可提供技术支持，免费送样品

深圳市金华微盛电子有限公司
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27500
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ON原装现货代理订货样品免费赠送

深圳市米数科技有限公司
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5000
ON(安森美)
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只做原装，价格市场

深圳市万芯时代贸易有限公司
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N/A/25+
回收此型号NTB52N10T4G

深圳市金灿利电子科技有限公司
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128000
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全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

深圳市思跃电子有限公司
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20000
ON
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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540030
TOSHIBA/东芝
SIP7/22+
可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市莱克讯科技有限公司
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35568
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TO263/1901+
原包装进口正品现货库存-正规渠道

深圳市优尚半导体科技有限公司
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MOSFET NCH 100V 52A D2PAK/26+
提供BOM一站式配单服务

深圳市亿科泰电子科技有限公司
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一级代理，原厂排单到货，可开原型号13%专用发票

杭州丹骏电子科技有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/2025+
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深圳市金胜达微科技有限公司
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10
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原装现货特价

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NTB52N10T4G外观图

NTB52N10T4G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

NTB52N10T4G 概述

NTB52N10T4G是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和高电流处理能力。其最大漏源电压可达100V，适用于多种功率管理应用。常见应用场景包括直流-直流转换器、电源管理模块以及电机驱动电路等。在这些应用中，它能够有效降低功耗并提高系统效率。由于其较低的Rds(on)，可以减少开关损耗，特别适合于需要高效能量传输的设计。在实际应用时，需注意适当的散热设计以确保稳定工作。建议使用合适的PCB布局和散热片来优化热性能。此外，在进行电路设计时，应遵循制造商提供的电气特性参数，确保在安全工作区域内使用此MOSFET。对于高频应用，还需考虑栅极电容的影响，适当选择栅极驱动电阻值以优化开关速度。

NTB52N10T4G 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
52A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
30 毫欧 @ 26A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
135nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3150pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTB52N10T4GOSNTB52N10T4GOS-NDNTB52N10T4GOSTR

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