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NTD14N03RT4G

更新时间:2025-06-06 15:01:40

供应商
产品型号
服务标识
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厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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重庆深宝晨科技有限公司
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深圳市汇芯诚电子科技有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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只做现货，一站式配单

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深圳市杰旭鑫科技有限公司
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NTD14N03RT4G外观图

NTD14N03RT4G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

NTD14N03RT4G 概述

NTD14N03RT4G是安森美半导体生产的一款N沟道MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，在栅极电压为10V时典型值仅为0.032欧姆，这有助于减少传导损耗并提高效率。该器件最大漏源电压为30V，连续漏极电流可达14A，适用于多种功率管理应用。常见应用场景包括直流-直流转换器、负载开关以及电源管理中的低端开关等场合。在设计中使用此MOSFET时，应注意正确选择栅极驱动电压以确保完全开启，同时考虑散热设计以保证稳定工作。例如，在一个同步降压转换器电路中，可以将此MOSFET作为低边开关，配合合适的控制IC和外围元件实现高效稳定的电压转换功能。

NTD14N03RT4G 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
95 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
1.8nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
115pF @ 20V
功率 - 最大
1.04W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTD14N03RT4GOSNTD14N03RT4GOS-NDNTD14N03RT4GOSTR

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