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当前位置：维库电子市场网>IC>ntd18n06l 更新时间:2024-04-28 05:24:52

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  • NTD18N06L的技术参数

    产品型号:ntd18n06l源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):54最大漏极电流id(on)(a):18通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~175描述:18a,60v功率mosfet价格/1片(套):￥3.30 来源:xiangxueqin

  • NTD18N06LT4G的技术参数

    产品型号:NTD18N06LT4G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60
    最大漏极电流Id(on)(A):18
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150
    描述:18 A, 60 V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥3.44

  • NTD18N06L的技术参数

    产品型号:NTD18N06L
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):54
    最大漏极电流Id(on)(A):18
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~175
    描述:18A,60V功率MOSFET
    价格/1片(套):￥3.30


     &...

ntd18n06l替代型号

NTD18N06G NTD18N06-1G NTD15N06L NTD15N06 NTD14N03RT4G NTD14N03R NTD14N03 NTD12N10T4G NTD12N10-1G NTD12N10

NTD18N06LT4G NTD18N06T4G NTD20N03L27 NTD20N03L27T4G NTD20N06G NTD20N06L NTD20N06LT4G NTD20N06T4G NTD20P06L-1G NTD20P06LT4G

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