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NTD4906N-1G

更新时间:2025-07-06 23:06:44
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NTD4906N-1G 规格参数
  • 制造商
    ON Semiconductor
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    30 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    54 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    8 mOhms
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 175 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    IPAK
  • 封装
    Rail
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    2.6 W
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